[Zurück]
 
Bitte auswählen
Jahr
Details
Sprache
Sortierung
Ausgabe
neu: RTF !
 Forschungsbericht für das Jahr 2018

Professur für Kristallographie

Prof. Dr. Arne Cröll

Hermann-Herder-Str. 5
79104 Freiburg
Tel: 203-6439 Fax: 203-6434
Email arne.croell@krist.uni-freiburg.de
http://www.krist.uni-freiburg.de/ki/Mitarbeiter/Leitung.php


Wissenschaftliche Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter

  • Prof. Dr. Arne Cröll (beurlaubt)
  • Vertretung: Dr. Arkadiy Simonov
  • Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky
  • Dr. Tina Sorgenfrei
  • Prof. (apl) Dr. Ulrich Vogt
  • Dr. Arndt Remhof, EMPA
Einträge in der Rubrik "Who is Who"

Forschungsschwerpunkte

  • Züchtung und Charakterisierung von Halbleiterkristallen
  • Züchtung von Element- und Verbindungshalbleitern mit freien Zonen (Schmelze, metallische Lösung)
  • Messung und Berechnung der Oberflächenspannung von schmelzflüssigen Halbleitermaterialien
  • Numerische Simulationen zur Fluiddynamik von Schmelzen
  • Realstruktur von Kristallen
  • Untersuchungen zu Transportphänomenen und zur Wachstumskinetik
  • Synchrotron-Topographie an Einkristallen
  • Kristallstrukturanalyse
  • Phasendiagrammbestimmung von Mehrkomponentensystemen

Finanzierung

  • DLR/BMWi
  • ESA/ESTEC
  • EU
  • DFG
  • Industrie

Wissenschaftliche Projekte und Forschungsvorhaben


  • Bestimmung des Einfangverhaltens von Si3N4-Partikeln bei der gerichteten Erstarrung von Solarsilizium im Weltall (ParSiWal-II)
  • Betreuung und Optimierung der Beamline Topographie an der Synchrotron-Strahlenquelle ANKA am Forschungszentrum Karlsruhe
  • Einfluss der Stabilität des Facettenwachstums auf die Entstehung von Kristalldefekten bei der Halbleiterkristallzüchtung, SaFari
  • In-situ Beobachtung von Fremdphasenpartikeln in Fluiden, ihrer Bewegungsprofile und ihrer Interaktion mit der Kristallfront
  • Konvektion und Benetzung in der Halbleiterkristallzüchtung zur Optimierung technologisch wichtiger Kristalle unter Schwerelosigkeit (KLUNKER)
  • Quantitative Charakterisierung und Vorhersage von Versetzungsverhalten in hochreinem SiC
    • Projektleitung: Prof. Dr. A. N. Danilewsky
    • Laufzeit: 01.02.2018 bis 31.01.2021
    • Details zum Projekt
  • Stroboscopic and correlative diffraction imaging (STROBOS-CODE)
    • Projektleitung: Prof. Dr. A. N. Danilewsky
    • Laufzeit: 01.10.2014 bis 30.09.2019
    • Details zum Projekt

Wissenschaftliche Publikationen

Originalarbeiten in wissenschaftlichen Fachzeitschriften:
  • Carl E.-R., Mansfeld U., Liermann H. P., Danilewsky A. N., Langenhorst F., Ehm L., Kenkmann T.: Phase transitions of a-quartz at elevated temperatures under dynamic compression using a membrane-driven diamond anvil cell: clues to impact cratering? Meteorit Planet Sci, 2018. : http://dx.doi.org/10.1111/maps.13077 (in Druck)
  • Danilewsky A. N., Meinhardt J., Boschert S., Bischopink G.: Anisoptropic microsegregation in the growth of doped III-V-semiconductors from solution Cryst Res Technol, 2018: 1700264. (download: https://doi.org/10.1002/crat.201700264)
  • Ghanemotlagh R., Kröner M., Goldschmidtboeing F., Danilewsky A., Woias P.: A dynamic method for the measurement of pyroelectric properties of materials Smart Mater Struct, 2018. : https://doi.org/10.1088/1361-665X/aac0b3 (in Druck)
  • Kenkmann T., Deutsch A., Thoma K., Ebert M., Poelchau M. H., Buhl E., Carl E.-R., Danilewsky A. N., Dresen G., Dufresne A., Durr N., Ehm L., Grosse C., Gulde M., Güldemeister N., Hamann C., Hecht L., Hiermaier S., Hoerth T., Kowitz A., Langenhorst F., Lexow B., Liermann H.-P., Luther R., Mansfeld, U., Moser, D., Raith, M., Reimold, W. U., Sauer, M., Schäfer, F., Schmitt, R. T., Sommer, F., Wilk, J., Winkler R., Wünnemann K.: Experimental impact cratering: A summary of the major results of the MEMIN research unit Meteorit Planet Sci, 2018: 1-26. : http://dx.doi.org/10.1111/maps.13048
  • Sorgenfrei T: 30 years of crystal growth under microgravity conditions in Freiburg - an overview of past activities, Crystal Research and Technology Cryst Res Technol, 2018: 1700265. : https://doi.org/10.1002/crat.201700265
Buchbeiträge:
  • Tanner B., Allen D., Wittge J., Danilewsky A. N., Garagorri J., Gorostegui-Colinas E., Elizalde M. R, McNally P. J.: Quantitative Imaging of the Stress/Strain Fields and Generation of Macroscopic Cracks from Indents in Silicon In: Crystal Indentation Hardness Basel, Beijing, Wuhan, Barcelona, Belgrad: MDPI; under CC BY-NC-ND license, 2018; 178-190 (Crystals). (download: https://doi.org/10.3390/books978-3-03842-968-5)
Konferenzbeiträge:
  • Bode, S., Hänschke, D., Haaga, S., Kabukcuoglu, M., Hamann, E., Helfen, L., Danilewsky, A. N., Baumbach, T., Cowan, T.: Enabling Quasi 4D Imaging of Dislocation Dynamics in Semiconductor Wafers by X-Ray Diffraction Laminography 2018; Abstracts: 169 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Bode S., Hänschke D., Hamann E., Kabukcuoglu M., Haaga S., Helfen L., Danilewsky A. N., Baumbach T.: Extension of X-Ray Diffraciton Laminography: A 4D Imaging Method for the Investigation of Defect Dynamics in Crystalline Materials Abstracts, 2018; Posterpreis (26th Annual Meeting of the German Crystallographic Society (DGK) 2018, Essen, Germany, March 5-8, 2018).
  • Fritsch P., Kabukcuoglu M. P., Haaga S., Baumbach T., Danilewsky A. N.: In-situ Observation of Dislocations in GaAs during Annealing Process by Means of Synchrotron White Beam X-ray Topography Abstracts, 2018: 50 (1st German-Austrian Conference on Crystal Growth (GACCG/DKT2018), Vienna, Austria, Feb. 14-16 2018).
  • Fritsch P., Kabukcuoglu M. P., Haaga S., Baumbach T., Danilewsky A. N.: In situ Studies of Dislocations in GaAs with Synchrotron White Beam X-ray Topography Abstracts, 2018 (26th Annual Meeting of the German Crystallographic Society (DGK) 2018, Essen, Germany, March 5-8, 2018).
  • Grenzer, J., Rack, A., Olbinado, M. P., De Resseguier, T., Danilewsky, A. N., Kraus, D., Cowan, T.: Ultra-High-Speed X-Ray Imaging of Laser Driven Processes Using Synchrotron Light 2018; Abstracts: 27 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Haaga, S., Hänschke, D., Bode, S., Kabukcuoglu, M., Hamann, E., Helfen, L., Roder, M., Hurst, M., Baumbach, T., Danilewsky, A. N.: 3D Imaging of Crystalline Defects in Various Semiconducting Materials by X-Ray Diffraction Laminograpy 2018; Abstracts: 38 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Haaga S., Hänschke D., Hamann E., Kabukcuoglu M., Bode S., Helfen L., Baumbach T., Danilewsky A. N.: 3D Imaging of Crystalline Defects in High Absorbing Semiconductor Materials with X-Ray Diffraction Laminography (XDL) on the Example of GaAs Wafers 2018 (26th Annual Meeting of the German Crystallographic Society (DGK) 2018, Essen, Germany, March 5-8, 2018).
  • Hänschke, D., Bode, S., Kabukcuoglu, M., Haaga, S., Hamann, E., Helfen, L., Danilewsky, A. N., Baumbach, T., Baumbach, T., Danilewsky, A. N.: 3D Characterisation of Crystal Defects by X-Ray Diffraction Laminograpy: Status and Prospects 2018; Abstracts: 163 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Jauß T., Danilewsky A. N., Sorgenfrei T., Reimann C., Friedrich J.: Synchrotron White Beam X-ray Topography Investigation of Particle Incorporation in Silicon Abstracts, 2018: 18 (1st German-Austrian Conference on Crystal Growth (GACCG/DKT2018), Vienna, Austria, Feb. 14-16 2018).
  • Jian Qiu Guo, Yang Yu, Raghothamachar B., Dudley M., Weit S., Danilewsky A. N., McNally P. J., Tanner R.: Direct Observation of Stress Relaxation Process in 4H-SiC Homoepitaxial Layers via In Situ Synchrotron X-Ray Topography Materials Science Forum, Silicon Carbide and Related Materials 2017, 2018; 924: 176-179 (nternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2017, September 17-22 in Washington, DC, USA).
  • Kabukcuoglu, M., Hänschke, D., Bode, S., Haaga, S., Hamann, E., Helfen, L., Baumbach, T., Danilewsky, A. N.: Investigating Dislocation Dynamics in Silicon Wafers by Means of X-Ray Diffraction Laminograpy 2018; Abstracts: 41 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Kabukcuoglu M., Hänschke D., Hamann E., Bode S., Haaga S., Helfen L., Baumbach T., Danilewsky A. N.: 4D Investigation of the Dislocation Propagation and their Interaction Depending on Thermal Stress by Means of X-ray Diffraction Laminography Abstracts, 2018; Posterpreis (26th Annual Meeting of the German Crystallographic Society (DGK) 2018, Essen, Germany, March 5-8, 2018).
  • Kirste L., Tran Thi T. N., Danilewsky A. N., Sochacki T., Bockowski M., Baruchel J.: Defect Structure Analysis of GaN Substrates: From Laboratory to Synchrotron X-Ray Diffraction Techniques 2018: 129 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Pfändler N., Sorgenfrei T: In-Situ observations of foreign phase particles in fluids and their interaction with the solidification front Abstracts, 2018: 43 (1st German-Austrian Conference on Crystal Growth (GACCG/DKT2018), Vienna, Austria, Feb. 14-16 2018).
  • Roder, M., Wellmann, P., Arzig, S., Danilewsky, A. N.: Characterization of defects and strain with Synchrotron White Beam X-ray Topography (SWXRT) and High Resolution X-ray Diffractometry (HRXRD) in 4H-SiC 2018; Abstracts: 49 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Roder M., Danilewsky A. N., Wellmann P.: Defect and Strain Characterization of 4H-SiC Abstracts, 2018 (26th Annual Meeting of the German Crystallographic Society (DGK) 2018, Essen, Germany, March 5-8, 2018).
  • Roder M., Danilewsky A. N., Wellmann P.: Characterisation of Defects and Strain in 4H-SiC Abstracts, 2018: 57 (1st German-Austrian Conference on Crystal Growth (GACCG/DKT2018), Vienna, Austria, Feb. 14-16 2018).
  • Tanner B., Danilewsky A. N., Rotary B., Vijayaraghavan R. K., McNally P. J.: Non-destructive X-ray diffraction measurement of warpage in silicon die embedded in integrated circuit packages 2018; Abstracts: 195 (14th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2018, Bari, Italy, 3rd -7th Sept.).
  • Wöhrle J. P., Danilewsky A. N., Sorgenfrei T.: The Influence of a Rotating Magnetic Field on Ge1-x Six Crystals Abstracts, 2018: 60 (1st German-Austrian Conference on Crystal Growth (GACCG/DKT2018), Vienna, Austria, Feb. 14-16 2018).
  • Yang Yu, Jian Qiu Guo, Raghothamachar B., Dudley M., Weit S., Danilewsky A. N., McNally P. J., Tanner R.: In Situ Synchrotron X-Ray Topography Observation of Double-Ended Frank-Read Sources in PVT-Grown 4H-SiC Wafers Materials Science Forum, Silicon Carbide and Related Materials 2017, 2018; 924: 172-175 (nternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials ICSCRM 2017, September 17-22 in Washington, DC, USA).

Besondere wissenschaftliche Aktivitäten

Preise / Ehrungen:
  • Boschert, Stefan, Dr.: FLUENT-Hochschulpreis, Dissertation: Numerische Simulation Zeitabhängiger Wachstumsprozesse bei der Kristallzüchtung aus metallischen Lösungen, 18.09.2000.
  • Cröll, Arne, Prof. Dr.: Prize Photo Contest: "Natural untouched photograph/micrograph": http://www.crystalgrowth.org/Croell_N3.jpg, 21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21), Santa Fe, NM, July 30 - August 4,, 01.01.2017.
  • Danilewsky, A.N., Dr.: Goedecke Forschungspreis, Dissertation Wachstum v. Verbindungshalbleitern: Mechanismen u. Dotierstoffeinbau, 07.02.1991.
  • Dold, P., Dr.: Goedecke Forschungspreis, Dissertation Einflüsse statischer u. dyn. Magnetfelder bei d. Kristallzüchtung aus Metall- u. Halbleiterschmelzen, 10.11.1995.
  • Fauler, Alex, Dipl. Phys.: Bosch Forschungspreis 2001, Diplomarbeit CdTe Volumenkristalle für die Anwendung als Röntgendetektoren, 01.11.2001.
  • Jugend forscht:, Bernhart Johanna, Tscherter Ruth, Wineberger Till, Schäfer Otto, Georg Kerschensteinerschule, Müllheim, PD Dr. Andreas Danilewsky: Züchtung von Kupfer und Goldeinkrstallen im Kieselgel, Sonderpreis: Jugend Forscht, Reginalwettbewerb 2015, Südbaden, 03.02.2014.
  • Kaiser, Natalie, Dr.: Amelia Earhart Stipendium der Zonta International Foundation, Promotion im Rahmen des Projektes "Reduction of Defects in Ge - Si" am Marshall Space Flight Center, Houston, Alabama, USA und am Kristallographischen Institut, Universität Freiburg, 01.12.2001.
  • Kerat, Uwe Jörg, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation Einfluß von vibrationsinduzierter Konvektion auf die Kristallzüchtung aus der Schmelze, 15.10.2003.
  • Kirste, Lutz, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation Wachstum und Realstruktur von Epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten, 15.10.2004.
  • Krauß, Günter, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation: Untersuchung an multinären Chalkogeniden mit Defektstrukturen Aluminiumhaltige Defektchalkopyrite; das System ZnIn2Se4 - CuInSe2 und Verbindungen des Typs AB4C5X12, 15.10.1997.
  • Kristallographisches Institut: Frauenförderpreis 2000, Frauenförderplan, Rektor, 27.11.2000.
  • Laasch, Matthias, Dr.: Goedecke Forschungspreis, Dissertation: Gasphasenzüchtung von CdTe Einkristallen im halboffenen System, Firma Goedeke, Freiburg, 11.11.1997.
  • Rattunde, Marcel, Dipl. Phys.: Robert-Bosch-Forschungspreis 1999, Diplomarbeit: Rastersondenmikroskopische Untersuchungen zum MBE-Wachstum der Gruppe-III-Nitride: Realstruktur und Morphologie in Abhängigkeit der Wachstumsparameter, 31.10.1999.
  • Sorgenfrei, Ralf, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, für die Dissertation Wachstum polykristalliner CdTe Schichten auf dem Medipix2 Pixeldetektorchip, 26.10.2011.
  • Tegetmeier, Ansgar, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation: Oberflächenspannung und Wachstumswinkel: Zwei wichtige Parameter der Schmelzzonenzüchtung, 15.10.1996.
  • Tonn, Justus, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation: Growth and Characterisation of Lead Iodide Single Crystals , 24.10.2012.
Invited Speech:
  • Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky: X-Ray Diffraction Imaging: More than Nice Pictures (invited speech), Kolloquium, Leibnitz Institut für Kristallzüchtung, IKZ, Berlin, 19.03.2018.
Verbände und Fachgesellschaften:
  • Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky: Deutsche Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum e. V., DGKK, Mitglied des Vorstandes (stellvertretender Vorsitzender), seit 2016.

Abschlussarbeiten

Außerplanmässige Professuren
  • Privatdozent Dr. Andreas N. Danilewsky, 2018.
Master
  • Fritsch,Patrizia: Insitu Studies of Dislocations in GaAs with White Beam Synchrotron X-ray Topography (Erstgutachter/in Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. (apl) Dr. M. Fiederle), 2018.
  • Roder, Melissa: Defect and Strain Characterization of 4H- SiC (Erstgutachter/in Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky, Kristallographie, Zweitgutachter/in Prof. Dr. P. Wellmann, Crystal Growth Lab, Dept. Werkstoffwissenschaften, Friedrich-Alexander Universität Erlangen-Nürnberg), 2018.
Bachelor
  • Mihalic, Saskia: The influence of sodium dodecyl sulfate on the growth and morphology of triglycine sulfate (Erstgutachter/in Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. Dr. Woias, Professur für die Konstruktion von Mikrosystemen, IMTEK),), 2018.
  • Stenersen, Sondre Michler Ziel: Wachstum und Charakterisierung von epitaktischen Nitrid-Filmen (Erstgutachter/in Prof. Dr. (apl) Michael Fiederle, Zweitgutachter/in Prof. (apl) Dr. Andreas Danilewsky), 2018.