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 Forschungsbericht für das Jahr 2016

Professur für Kristallographie

Prof. Dr. Arne Cröll

Hermann-Herder-Str. 5
79104 Freiburg
Tel: 203-6439 Fax: 203-6434
Email arne.croell@krist.uni-freiburg.de
http://www.krist.uni-freiburg.de/ki/Mitarbeiter/Leitung.php


Wissenschaftliche Mitarbeiterinnen und Mitarbeiter

  • Prof. Dr. Arne Cröll (beurlaubt)
  • Vertretung: Dr. Semen Gorfman
  • PD Dr. Andreas Danilewsky
  • Dr. Egbert Keller
  • Dr. Tina Sorgenfrei
  • Prof. Dr. Ulrich Vogt
Einträge in der Rubrik "Who is Who"

Forschungsschwerpunkte

  • Züchtung und Charakterisierung von Halbleiterkristallen
  • Züchtung von Element- und Verbindungshalbleitern mit freien Zonen (Schmelze, metallische Lösung)
  • Messung und Berechnung der Oberflächenspannung von schmelzflüssigen Halbleitermaterialien
  • Numerische Simulationen zur Fluiddynamik von Schmelzen
  • Realstruktur von Kristallen
  • Untersuchungen zu Transportphänomenen und zur Wachstumskinetik
  • Synchrotron-Topographie an Einkristallen
  • Kristallstrukturanalyse
  • Phasendiagrammbestimmung von Mehrkomponentensystemen

Finanzierung

  • BMBF
  • DLR/BMWi
  • ESA/ESTEC
  • EU
  • DFG
  • Industrie

Wissenschaftliche Projekte und Forschungsvorhaben


  • Bestimmung des Einfangverhaltens von Si3N4-Partikeln bei der gerichteten Erstarrung von Solarsilizium im Weltall (ParSiWal-II)
  • Betreuung und Optimierung der Beamline Topographie an der Synchrotron-Strahlenquelle ANKA am Forschungszentrum Karlsruhe
  • Konvektion und Benetzung in der Halbleiterkristallzüchtung unter Schwerelosigkeit (KUBUS)
  • Konvektion und Benetzung in der Halbleiterkristallzüchtung zur Optimierung technologisch wichtiger Kristalle unter Schwerelosigkeit (KLUNKER)
  • Stroboscopic and correlative diffraction imaging (STROBOS-CODE)

Wissenschaftliche Publikationen

Originalarbeiten in wissenschaftlichen Fachzeitschriften:
  • Asadchikov V. E., Butashin, A.V., Buzmakov, A.V., Deryabin, A.N., Kanevsky, V.M., Prokhorov, I. A., Roshchin, B. S., Volkov, Yu. O., Zolotov, D. A., Jafari, P., Alexeev, P., Cecilia, A., Baumbach, T., Bessas, D., Danilewsky, A. N., Sergueev, I., Wille H. C., Hermann, H. P.: Single-crystal sapphire microstructure for high-resolution synchrotron x-ray monochromators Cryst Res Technol, 2016; 1-9 (4): 290-298. (download: http://dx.doi.org/10.1002/crat.201500343)
  • Aufgebauer H., Kundin J., Emmerich H., Azizi M., Reimann C., Friedrich J., Jauss T., Sorgenfrei T., Cröll A.: Phase-field simulations of particle capture during the directional solidification of silicon J Cryst Growth, 2016; 446. : http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.04.032 (in Druck)
  • Bose, A., R.K. Vijayaraghavan, A. Cowley, V. Cherman, O. Varela Pedreira, B.K. Tanner, A.N. Danilewsky, I. D. Wolf, P. J. McNally: Nondestructive Monitoring of Die Warpage in Encapsulated Chip Packages Ieee Transactions On Components Packaging And Manufacturing Technology, 2016; 6: 653-662. (download: http://dx.doi.org/10.1109/TCPMT.2016.2527060)
  • Cowley A., Ivankovic A., Wong C. S., Bennet N. S., Danilewsky A.N., Gonzalez M., Cherman V., Vandevelde B., De Wolf I., McNally, P. J.: B-Spline X-Ray Diffraction Imaging — Rapid non-destructive measurement of die warpage in ball grid array packages Microelectron Reliab, 2016; 59: 108-116. : http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2015.12.030
  • Cröll A., Markert J., Volz M., Ostrogorsky A.: Wetting angles of monovalent indium iodide on different substrates Cryst Res Technol, 2016. : http://DOI: http://dx.doi.org/10.1002/crat.201600197
  • Friedrich J., Reimann C., Jauss T., Cröll A., Sorgenfrei T.: Interaction of SiC particles with moving solid-liquid interface during directional solidification of silicon J Cryst Growth, 2016; 447: 18-26. : http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.04.061
  • Gonik M., Cröll A., Wagner A.: Ge distribution in Si0.9Ge0.1 alloy ingot grown from thin melt layer Modern Electronic Materials, 2016. : http://dx.doi.org/10.1016/j.moem.2016.12.001 (in Druck)
  • Keller E.: On the unit cell volume expansion in homogeneous series of isotypic structures of "ionic" compounds Z Krist-cryst Mater, 2016; 231: 691-708.
  • Lankinen A., Tuomi T., Kostamo P., Jussila H., Sintonen S., Lipsanen H., Tilli M., Mäkinen J., Danilewsky A. N.: Synchrotron X-Ray Diffraction Topography Study of Bonding-Induced Strain in Silicon-on-Insulator Wafers Thin Solid Films, 2016; 603: 435-440. (download: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2016.02.052)
  • Rack A., Scheel M., Danilewsky A. N.: Real-time direct and diffraction X-ray imaging of irregular silicon wafer break-age IUCrJ, 2016; 3 (2): 108-114. : http://dx.doi.org/10.1107/S205225251502271X
  • Sintonen, S., Wahl, S., Richter, S., Meyer, S., Suihkonen, S., Schulz T., Irmscher K., Danilewsky A., Tuomi T., Stankiewicz R., Albrecht M.: Evolution of impurity incorporation during ammonothermal growth of GaN J Cryst Growth, 2016; 456: 51-57. : http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.08.044
  • Tanner B., Garagorri J., Gorostegui-Colinas E., Elizalde M.R., Allen D., McNally P., Wittge J., Ehlers C., Danilewsky A. N.: X-ray Asterism and the Structure of Cracks from Indentations in Silicon J Appl Crystallogr, 2016: 250-259. (download: http://dx.doi.org/10.1107/S1600576715024620)
  • Tao Y., Sorgenfrei T., Jauß T., Cröll A., Reimann C., Friedrich J., Derby J.: Particle engulfment dynamics under oscillating crystal growth conditions J Cryst Growth, 2016. : http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.10.049 (in Druck)
  • Wagner A., Cröll A., Hillebrecht H.: Si1-xGex crystal growth by the floating zone method starting from SPS sintered feed rods - a segregation study J Cryst Growth, 2016; 448: 109-116. : http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.05.024
Konferenzbeiträge:
  • Asadchikov, V. E., Alexeev, P., Bessas, D., Buzmakov, A. V., Cecilia, A., Chumakov, A., Danilewsky, A. N., Deryabin, A. N., Härtwig, J., Hermann, R. P., Jafari, A., Kanevsky, V. M., Prokhorov, I. A., Roshchin, B. S., Sergueev, I., Wille, H. C.: Growth of single crystal sapphire for applications in X-ray backscattering 2016: Fr1-T06-3 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, ICCGE-18, Nagoya, Japan, Aug. 7-12).
  • Carl E. - R., Danilewsky A. N., Liermann H. - P., Mansfeld U., Langenhorst F., Kenkmann T.: Phase transitions of SiO2 under dynamic compression and up to 900 °C Z Kristallogr, 2016 Suppl. 36: 140 (24thAnnual Meeting of the German Crystallographic Society (DGK), Stuttgart, Germany, March 14-17).
  • Carl E. - R., Richter J., Danilewsky A. N., Vijayaraghavan R. K., Kelly S., McNally P, Konopkova Z., Liermann H. - P.: Phase transitions of silicon under dynamic and non-hydrostatic conditions Acta Crystallogr A, 2016; 72: 294 (30th Meeting of the European Crystallographic Assaciation, ECM-30, Basel, Schweiz, 28. Aug. - 1. Sept.).
  • Cröll A., Hess A., Zähringer J., Sorgenfrei T., Egorov A., Senchenkov A., Mazuruk K., Volz M.: Bridgman Growth of Germanium and Germanium-Silicon Crystals under Microgravity (invited) 2016: Mo1-G10-1 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, ICCGE-18, Nagoya, Japan, Aug. 7-12).
  • Cröll A., Hess A., Zähringer J., Sorgenfrei T., Senchenkov A., Egorov A., Volz M.: Bridgman gowth of Ge and Ge-Si crystals under microgravity 2016 (NASA-MSFC microgravity meeting, EM 31, Marshall Space Flight Center, June 2).
  • Danilewsky A. N., Rack A., Scheel M.: Ultra High Speed In-Situ Characterisation of Defects in Single Crystals 2016: Th1-G09-4 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, ICCGE-18, Nagoya, Japan, Aug. 7-12).
  • Danilewsky A. N., Rack A., Scheel M.: Towards Real Time X-Ray Imaging of Cracks and Fracture in Silicon MATERIALS STRUCTURE in Chemistry, Biology, Physics and Technology, 2016; 23 (3): 210-211 (13th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2016, Brno, Czech Republic, Sept. 4 - 8).
  • Friedrich J., Jauß T., Cröll A., Sorgenfrei T., Reimann C., Tao Y., Derby J.J.: Particle incorporation during solidification of silicon under microgravity 2016: Mo1-G10-3 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, ICCGE-18, Nagoya, Japan, Aug. 7-12).
  • Friedrich J., Reimann C., Jauß T., Cröll A., Sorgenfrei T: Interaction of SiC particles with moving solid–liquid interface during directional solidification of silicon 2016; Abstracts (Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und -züchtung DGKK-AK „Massive Halbleiterkristalle“, 12./13.10.2016 Erlangen).
  • Fritsch P., Rießle K., Sorgenfrei T., Cröll A., Danilewsky A.: Growth and Characterization of Germanium from Tin-Solution Abstracts, 2016: 96 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • Hess A., Sorgenfrei T., Zähringer J., Cröll A., Egorov A., Senchenkov A.: The influence of solutocapillary convection on the GeSi growth with free melt surfaces Abstracts, 2016: 94 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • Jauß T., Cröll A., Sorgenfrei T., Reimann C., Friedrich J.: The critical growth rate for particle incorporation during the directional solidification of solar silicon under microgravity Abstracts, 2016: 91 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • LeDonne A., Binetti S., Reimann C., Friedrich J., Cröll A., Sorgenfrei T., Jauss T.: Effect of melt convection and gravity on SiC formation during growth process of PV silicon Abstracts, 2016 (EMRS Spring Meeting 2016, Lille, France, May 2-6).
  • Le Donne A., Binetti S., Acciarri M., Reimann C., Friedrich J., Jauss T., Cröll A., Sorgenfrei T.: Impurities and defects distribution during the growth of PV silicon: influence of melt convection and gravity 2016 (32nd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition (EU PVSEC 2016), Munich, Germany, June 20-24).
  • M. Volz, K. Mazuruk, , Cröll A.: Detached Solidification of Germanium-Silicon Crystals on the ISS 2016 (ISS R&D Conference 2016, San Diego, CA, USA, July 12-14).
  • Markert J., Cröll A.: Wetting Angles of Indium (I) Iodide with Different Crucible Materials Abstracts, 2016: 88 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • McNally P. J., B.K. Tanner, A.N. Danilewsky, N. Gorgi, Bose A., R.K. Vijayaraghavan, A. Cowley, V. Cherman, O. Varela Pedreira, I. De Wolf: X-ray diffraction imaging for real-time in situ monitoring of future 3-D photonics system packages 2016; Abstracts: 2014 (7th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications, ICOOPMA, Montreal, Canada, June 12-17).
  • Ostrogorsky A. G., Riabov V., Volz M. F., van den Berg L., Cröll A.: Detached Melt and Vapor Growth of InI in SUBSA Hardware 2016: Mo1-G10-2 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Nagoya, Japan, Aug. 7-12).
  • Senchenkov A., Kolesnikov N., Hess A., Zähringer J., Sorgenfrei T., Croell A.: Ge:Ga crystal growth within an RMF during the FOTON-M4 mission 2016 (10th PAMIR International Conference on Fundamental and Applied MHD, Cagliari/Sardinia, Italy, June 20‐24).
  • Sintonen, S., Suihkonen, S, Irmscher, K., Schulz, T., Danilewsky, A. N., Tuomi, T., Stankiewicz, R., Albrecht, M.: On the impurity incorporation evolution during growth of ammonothermal GaN Abstracts, 2016: 100 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • Sorgenfrei, T., Hess A., Zähringer J., Danilewsky A., Cröll A., Egorov A., Senchenkov A.: Growth of doped Ge crystals under µg and 1g conditions to determine the influence of different melt convection state Abstracts, 2016: 67 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • Sorgenfrei T, Gorfman S, Danilewsky A. N.: Virtuelle Realität in der Kristallographie 2016; Abstracts (GERMAN U15: 3. DIALOG ZUR LEHRE AN DER ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG, Freiburg, 12.12.2016).
  • Tanner B., Danilewsky A. N., Bose A., Vijayaraghavan R. K., Cowley A., Cherman V., McNally P. J.: Non-destructive X-ray diffraction measurement of warpage in silicon die embedded in integrated circuit packages MATERIALS STRUCTURE in Chemistry, Biology, Physics and Technology, 2016; 23 (3): 211-212 (13th Biennial Conference on High-Resolution X-Ray Diffraction and Imaging, XTOP 2016, Brno, Czech Republic, Sept. 4 - 8).
  • Tao Y., SorgenfreiT., Jauß T., Cröll A., Reimann C., Friedrich J., Derby J.J.: A fundamental analysis of particle engulfment dynamics during crystal growth 2016 (18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Nagoya, Japan, August 7-12).
  • Weit, S., Sorgenfrei, T., Cröll A., Danilewsky A.: Growth of bulk crystals in the germanium-silicon system (Poster Preis) Abstracts, 2016: 95 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • Yasseri M., Jauß T., Sorgenfrei T., Cröll A.: Influence of high temperature treatment on wetting behavior of silicon nitride powders used for investigation of particle incorporation in PV silicon Abstracts, 2016: 93 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).
  • Zähringer J., Hess A., Sorgenfrei T., Cröll A., Egorov A., Senchenkov A.: Numerical simulation of natural and forced convection during Bridgman crystal growth under μg and 1g conditions Abstracts, 2016: 81 (1st German-Czechoslovak Conference on Crystal Growth (GCCCG-1), Dresden, March 16-18).

Besondere wissenschaftliche Aktivitäten

Preise / Ehrungen:
  • Boschert, Stefan, Dr.: FLUENT-Hochschulpreis, Dissertation: Numerische Simulation Zeitabhängiger Wachstumsprozesse bei der Kristallzüchtung aus metallischen Lösungen, 18.09.2000.
  • Danilewsky, A.N., Dr.: Goedecke Forschungspreis, Dissertation Wachstum v. Verbindungshalbleitern: Mechanismen u. Dotierstoffeinbau, 07.02.1991.
  • Dold, P., Dr.: Goedecke Forschungspreis, Dissertation Einflüsse statischer u. dyn. Magnetfelder bei d. Kristallzüchtung aus Metall- u. Halbleiterschmelzen, 10.11.1995.
  • Fauler, Alex, Dipl. Phys.: Bosch Forschungspreis 2001, Diplomarbeit CdTe Volumenkristalle für die Anwendung als Röntgendetektoren, 01.11.2001.
  • Jugend forscht:, Bernhart Johanna, Tscherter Ruth, Wineberger Till, Schäfer Otto, Georg Kerschensteinerschule, Müllheim, PD Dr. Andreas Danilewsky: Züchtung von Kupfer und Goldeinkrstallen im Kieselgel, Sonderpreis: Jugend Forscht, Reginalwettbewerb 2015, Südbaden, 03.02.2014.
  • Kaiser, Natalie, Dr.: Amelia Earhart Stipendium der Zonta International Foundation, Promotion im Rahmen des Projektes "Reduction of Defects in Ge - Si" am Marshall Space Flight Center, Houston, Alabama, USA und am Kristallographischen Institut, Universität Freiburg, 01.12.2001.
  • Kerat, Uwe Jörg, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation Einfluß von vibrationsinduzierter Konvektion auf die Kristallzüchtung aus der Schmelze, 15.10.2003.
  • Kirste, Lutz, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation Wachstum und Realstruktur von Epitaktischen (Al,Ga)N-Schichten, 15.10.2004.
  • Krauß, Günter, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation: Untersuchung an multinären Chalkogeniden mit Defektstrukturen Aluminiumhaltige Defektchalkopyrite; das System ZnIn2Se4 - CuInSe2 und Verbindungen des Typs AB4C5X12, 15.10.1997.
  • Kristallographisches Institut: Frauenförderpreis 2000, Frauenförderplan, Rektor, 27.11.2000.
  • Laasch, Matthias, Dr.: Goedecke Forschungspreis, Dissertation: Gasphasenzüchtung von CdTe Einkristallen im halboffenen System, Firma Goedeke, Freiburg, 11.11.1997.
  • Rattunde, Marcel, Dipl. Phys.: Robert-Bosch-Forschungspreis 1999, Diplomarbeit: Rastersondenmikroskopische Untersuchungen zum MBE-Wachstum der Gruppe-III-Nitride: Realstruktur und Morphologie in Abhängigkeit der Wachstumsparameter, 31.10.1999.
  • Sorgenfrei, Ralf, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, für die Dissertation Wachstum polykristalliner CdTe Schichten auf dem Medipix2 Pixeldetektorchip, 26.10.2011.
  • Tegetmeier, Ansgar, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation: Oberflächenspannung und Wachstumswinkel: Zwei wichtige Parameter der Schmelzzonenzüchtung, 15.10.1996.
  • Tonn, Justus, Dr.: Carl-Theodor-Kromer-Preis, Dissertation: Growth and Characterisation of Lead Iodide Single Crystals , 24.10.2012.
Invited Speech:
  • Prof. Dr. Arne Cröll: Bridgman Growth of Germanium and Germanium-Silicon Crystals under Microgravity (invited speech), 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, Nagoya, Japan, Aug. 7-12, 2016, 08.08.2016.
Verbände und Fachgesellschaften:
  • Dr. Tina Sorgenfrei: Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung e. V., DGKK, Mitglied des Vorstandes (1. Beisitzerin), seit 2013.
  • PD Dr. Andreas Danilewsky: Deutsche Gesellschaft für Kristallzüchtung und Kristallwachstum e. V., DGKK, Mitglied des Vorstandes (stellvertretender Vorsitzender), seit 2016.

Abschlussarbeiten

Promotionen
  • Bonk, Alexander: Synthesis, modification and charcterization of ceria-based ceramics for solar thermochemical fuel production (Betreuer/in Prof. Dr. Ulrich Vogt, Erstgutachter/in Prof. Dr. C. Röhr, Zweitgutachter/in Prof. Dr. Ulrich Vogt), 2016.
  • Schmid, Claudia: Numerische Simulation und Optimierung der gerichteten Erstarrung von multikristallinem Silicium für die Photovoltaik (Erstgutachter/in Prof. Dr. Arne Cröll, Zweitgutachter/in Prof. Dr. P. Dold), 2016.
  • Schmid, Ekaterina: Einfluß der Züchtungsbedingungen auf die Eigenschaften von mc-Si-Kristallen (Erstgutachter/in Prof. Dr. M. Stelter, Institut für Nichteisen-Metallurgie und Reinststoffe, TU Bergakademie Freiberg, Zweitgutachter/in Prof. Dr. Arne Cröll), 2016.
  • Zähringer, Jan: Entwicklung eines Modells zur numerischen Simulation natürlicher und erzwungener Konvektion unter µg-Bedingungen (Erstgutachter/in Prof. Dr. Arne Cröll, Zweitgutachter/in Prof. (apl.) Dr. M. Fiederle), 2016.
Master
  • Hamamra, Nedaa: Phosphorous Diffusion Gettering of mc-Si (Erstgutachter/in Dr. Tina Sorgenfrei, Zweitgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky), 2016.
  • Jonnak, Sashi Kiran: Evaluation of AdhesivesS to be Used to Attach Thin Si Films in IBC Cell Processing (Erstgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. Dr. Jef Poortmans, Imec & KU Leuven, Belgium), 2016.
  • Pfändler, Nadine: In-situ observation of the interaction of foreign phase particles and the growth front in transparent melt (Erstgutachter/in Dr. Tina Sorgenfrei, Zweitgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky), 2016.
  • Rana Sami Ul Haq: Investigation of Novel Silicon Nitride Based Coatings on the Nucleation Process for mc-Si Ingots (Erstgutachter/in Dr. Tina Sorgenfrei, Zweitgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky), 2016.
  • Rießle, Katja: Crystal growth of germanium from a tin solution (Erstgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. Dr. A. Cröll), 2016.
  • Wehrle, Moritz Michael: Deposition of thin films for solid oxide cell applications by aerosol assisted chemical vapor deposition (Erstgutachter/in Prof. Dr. Ulrich Vogt, Zweitgutachter/in Prof. Dr. Arne Cröll), 2016.
  • Yasseri, Mohammad: Particle Incorporation in PV Silicon (Erstgutachter/in Prof. Dr. Arne Cröll, Zweitgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky), 2016.
Bachelor
  • Fehrenbach, Tobias: Kristallisation von Si-Nanokristallen in amorpher SixC1-x-Matrix (Erstgutachter/in Prof. Dr. Arne Cröll, Zweitgutachter/in Prof. (apl.) Dr. M. Fiederle), 2016.
  • German, Alexander: Strukturelle Charkterisierung von Zinnsulfid (Erstgutachter/in Dr. Tina Sorgenfrei, Zweitgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky), 2016.
  • Nikolai, Luigi: High pressure modifications of SiO2 (Erstgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. Dr. Thomas Kenkmann), 2016.
  • Schiemann, Marco: Feed Rod Synthesis for the Growth of Si1-xGex Bulk Crystals using Float-Zone-Method (Erstgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. Dr. H. Hillebrecht, Institut für Anorganische und Analytische Chemie), 2016.
  • Streicher, Isabel Maria: Floating Zone Growth and Characterization of Bulk Si1-xGex Crystals (Erstgutachter/in PD Dr. Andreas Danilewsky, Zweitgutachter/in Prof. Dr. H. Hillebrecht, Institut für Anorganische und Analytische Chemie), 2016.