AIScN als neuartiges Barrierematerial für GaN-basierende HF-Transistoren

Das Ziel des Projektes ist die Evaluierung des neuartigen Materials AlScN für elektronische Hochfrequenz-Bauelemente, insbesondere hinsichtlich einer Verringerung des Kanal-widerstands in GaN-basierten Transistoren. Mit Hilfe der Molekularstrahlepitaxie werden erstmalig einkristalline AlScN-Schichten und Heterostrukturen hergestellt, um daran Untersuchungen zu den mechanischen, piezoelektrischen und elektronischen Materialeigenschaften vornehmen zu können. Darauf aufbauend sollen Modelle und Designs für elektronische Bauelemente erstellt werden, die letztendlich zu AlScN/GaN-Transistoren für Hochfrequenzverstärker führen, die einen um mindestens den Faktor zwei reduzierten Schichtwiderstand im Kanal aufweisen.

Ansprechpartner: Prof. Dr. Dr. Ambacher
Tel: 0761 5159-410
Email: oliver.ambacher@imtek.de

Projektbeginn: 2017
Projektende: 2019

Ambacher O

Institut für Mikrosystemtechnik IMTEK
Georg-Köhler-Allee 106
79110 Freiburg

Freiburger Materialforschungszentrum (FMF)

Stefan-Meier-Str. 21
79104 Freiburg i. Br.

Telefon: 0761-203 4711
Email: fmf@fmf.uni-freiburg.de
www.fmf.uni-freiburg.de

Dr. M. Fiederle (FMF)

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