High-Q-Power-GaN – Entwicklung von Transistoren für die Hochleistungselektronik auf freistehenden defektarmen Gallium-nitrid-Substraden

Ziel dieses Forschungsvorhabens ist es, Hochleistungstransistoren für Spannungswandler auf der Basis von AlGaN/GaN herzustellen. Die Verwendung defektarmer GaN-Substrate, ermöglicht die Epitaxie und Prozessierung von Hochleistungstransistoren mit herausragenden elektrischen Eigenschaften, die die materialspezifischen physikalischen Eigenschaften des GaN ausschöpfen. Durch den Vergleich mit AlGaN/GaN-Transistoren die auf Fremdsubstraten wie SiC oder Si hergestellt wurden und hohe Versetzungsdichtenichten besitzen, wird ein tiefgreifendes wissenschaftliches Verständnis des Einflusses von kristallographischen Defekten auf die elektrischen Eigenschaften dieser Bauelemente erarbeitet. Besonderes Augenmerk soll hier, neben der Elektronenbeweglichkeit des zweidimensionalen Elektronengases an der AlGaN/GaN-Grenzfläche, vor allem auf den Source-Drain-Leckströmen und den vertikalen Durchbruchspannungen liegen. Die Leckströmen bzw. Durchbruchspannungen sind ein limitierender Faktor besonders für GaN-basierte Hochleistungstransistoren mit Anwendungen in energieeffizienten Spannungswandlern

Ansprechpartner: Prof. Dr. Dr. Ambacher
Tel: 0761 5159-410
Email: oliver.ambacher@imtek.de

Projektbeginn: 01.10.2016
Projektende: 30.09.2019

Ambacher O

Institut für Mikrosystemtechnik IMTEK
Georg-Köhler-Allee 106
79110 Freiburg

Dr. Quay (FhG-IAF)

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