Bestimmung des Einfangverhaltens von Si3N4-Partikeln bei der gerichteten Erstarrung von Solarsilizium im Weltall (ParSiWal-II)

Im Wesentlichen soll das Einfangverhalten von Si3N4-Partikeln während der gerichteten Erstarrung von Solarsilizium bestimmt werden. Si3N4 Partikel, die sich unter nicht optimierten Wachstumsbedingungen während des Kristallisationsprozesses bilden, können zu Kurzschlussströmen führen und wirken sich nachteilig auf die Effizienz der Siliziumsolarzelle aus. Weiterhin gibt es hinsichtlich der zukünftigen industriellen Drahtsägetechnologie zum Vereinzeln der kristallinen Siliziumwafer aus dem hergestellten Kristallmaterial die Anforderung jegliche eingeschlossene Partikel zu vermeiden, da mit dem Auftreten von Partikeln unerwünschte oberflächliche Sägeschäden an den Siliziumwafern resultieren. In den geplanten Untersuchungen unter terrestrischen Bedingungen geht es vor allen Dingen darum herauszufinden, wie sich das Einbauverhalten der Si3N4-Partikel von dem der SiC-Partikel, welche bereits im ParSiWal-I Vorhaben systematisch untersucht wurden, unterscheidet. Wesentliche Parameter sind hier der Partikelhabitus und das Benetzungsverhalten durch das flüssige Silicium.

Ansprechpartner: Sorgenfrei T
Tel: 0761 203 6436
Email: tina.sorgenfrei(at)fmf.uni-freiburg.de

Projektbeginn: 01.11.2014
Projektende: 30.04.2018

Sorgenfrei T

Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
Professur für Kristallographie
Prof. Dr. Arne Cröll
Hermann-Herder-Str. 5
79104 Freiburg

Telefon: 203-6439
Fax: 203-6434
Email: arne.croell@krist.uni-freiburg.de
http://www.krist.uni-freiburg.de/ki/Mitarbeiter/Leitung.php

• Jauß T.

• BMWi/DLR, Sonstiges