Dr. Andreas N. Danilewsky

geb. am 19.08.1958 in Stuttgart

Mineralogie-Studium am Institut für Mineralogie und Kristallchemie, Universität Stuttgart, 1986 Abschluss Diplom – Mineraloge, 1986 - 1990 Wiss. Angest. am Fachbereich Physik GH Paderborn, seit 1991 Wiss. Angest. am Kristallographischen Institut der Universität Freiburg, 1991 Promotion am Kristallographischen Institut, Universität Freiburg "Wachstumskinetik und Dotierstoffeinbau bei III-V-Verbindungshalbleitern", 1991 Goedeke Forschungspreis

Fakultät für Umwelt und Natürliche Ressourcen

Hauptforschungsgebiete

Kristallwachstum, Synchrotron Topographie

Wichtige Publikationen

A. N. Danilewsky, R. Simon, A. Fauler, M. FiederleK. W. Benz: White Beam X-Ray Topography at the Synchrotron Light Source ANKA, Research Centre Karlsruhe Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2003; 199 (1) : 71-74. A. N. Danilewsky, J. Meinhardt: Macrosegregation in the Growth of doped III-V-semiconductors from the solution Crystal Research & Technology, 2003; 38 (7/8) : 604-613.

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